Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства чипов компьютерной памяти нового типа — с изменением фазы (PRAM). Они сохраняют информацию путём расплавления и затвердевания крошечных кристаллов.
Новая микросхема (на снимке под заголовком) обладает ёмкостью в 512 мегабит. Как сообщает компания в своём пресс-релизе, PRAM производит стирание ячеек почти в десять раз быстрее, чем современные образцы флеш-памяти, а темп перезаписи информации превышает показатель флешек в семь раз.
Ячейки PRAM основаны на кусочках полупроводника микроскопических размеров. При записи информации они очень быстро переходят из кристаллической фазы в аморфную и обратно. Смена состояния достигается при помощи электрического импульса.
Фазы сильно различаются по сопротивлению и могут быть интерпретированы как нули и единицы. Само пребывание в той или иной фазе энергии не требует. Быстродействие PRAM зависит лишь от того, сколько времени требуется для расплавления и последующей заморозки кристалла.
К примеру, в одном из недавних экспериментов, проведённом Манфредом Вуттигом (Manfred Wuttig) из Берлинского технологического университета, учёные испытывали ячейки PRAM диаметром всего в 20 нанометров (о чем сообщали в Nature). В этих клетках переход между состояниями совершался всего за 16 наносекунд – быстрее любой существующий на сегодняшний день технологии.
По оценке Samsung, применение PRAM в мобильных устройствах за счёт меньшего энергопотребления такой памяти способно увеличить время работы аккумуляторов на 20%.
Читайте также про новейшую высокоплотную память из обычного графита.
