Компания IBM создала прибор с рекордно высоким для транзисторов на базе графена быстродействием и расширенным диапазоном рабочих температур.
Благодаря хорошей подвижности зарядов графен заслужил репутацию перспективного материала для электроники. Однако когда графеновый лист размещают на диэлектрической подложке (обычно — на диоксиде кремния), подложка влияет на поведение одноатомного листа углерода, создаёт эффект рассеивания носителей заряда.
Как сообщает PhysicsWorld, учёные из исследовательского центра Уотсона (IBM Thomas J. Watson Research Center) решили эту проблему. При помощи химического осаждения из пара они сначала создали на медной плёнке лист графена, а затем перенесли его на подложку из алмазоподобного углерода, в свою очередь расположенную на традиционной для электроники кремниевой пластине.
На этой базе исследователи построили полевой транзистор с затвором длиной всего 40 нанометров (смотрите рисунок под заголовком). На испытаниях прибор показал очень высокую частоту среза — 155 гигагерц (детали изложены в статье в Nature).
Кроме того, авторы прибора проверили его функционирование при криогенных температурах (они негативно влияют на движение зарядов в полупроводниковых приборах). Выяснилось, что новый графеновый транзистор хорошо себя чувствует вплоть до температуры в 4,3 кельвина.
При этом американцы отмечают, что качество использованного графена было не самым высоким, так что достигнутые показатели — не предел для новой технологии.
Быстрейший мире транзистор, сделанный из фосфида индия и арсенида индия галлия — 845ГГц в университет Иллинойса. Вроде еще 2006 год.
Трудность самая большая по-видимому в технологии. Описанной здесь технологией врядли получится создать процессор, либо он будет безумно дорог.
То есть это шаг в развитии микросхем на алмазных подложках?
ru.wikipedia.org/wiki/%D0%93%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B5%D0%BD