Опытный образец необычного диода, способного работать с высокой скоростью, построен в университете Орегона (OSU).
Диод типа металл-изолятор-металл (metal-insulator-metal – MIM) использует квантово-механический эффект: туннелирование электронов сквозь очень тонкий слой диэлектрика.
«Исследователи пытались сделать такой прибор на протяжении десятилетий, до сих пор без успеха», – говорит один из авторов работы Дуглас Кеслер (Douglas Keszler). Он поясняет, что MIM-диоды, созданные в других лабораториях, не радовали высокой производительностью.
Между тем сам по себе диод такого типа перспективен. Он может сочетать высокую скорость работы (электроны туннелируют мгновенно) и низкую цену. Со слов Кеслера, потенциально схемы на основе диодов MIM могут быть даже дешевле, чем нынешние чипы на базе кремния.
Ключом к новой вариации MIM-диода стало применение тонкого слоя аморфного металла в качестве контакта. Этот слой образует с диэлектриком бесшовное и плотное соединение буквально на атомарном уровне, так что электроны получают возможность беспрепятственно перепрыгивать через «барьер».
Американские физики говорят, что технология совместима с легкодоступными металлами (медью, никелем, алюминием). При этом возможна печать новых схем на крупных подложках из разного материала. Детали исследования раскрывает статья в Advanced Materials и пресс-релиз OSU. (Читайте также о диоде из одной молекулы и памяти на дефектах в кремнии.)
