Корпорация IBM представила миру новый тип транзисторов, которые, по утверждениям разработчиков, позволят втрое увеличить производительность беспроводных чипов и при этом использовать на 80% меньше энергии, чем современные микропроцессоры.
Специалистам IBM удалось разместить на одной подложке биполярные кремний-германиевые и обычные CMOS-транзисторы (CMOS расшифровывается как комплиментарные металл-оксидные полупроводники) — чего раньше никому сделать ещё не удавалось.
Биполярные транзисторы используются для усиления слабых радиосигналов, в то время как CMOS-транзисторы применяются, в основном, в вычислительных микросхемах.
Используя слой «кремний-на-изоляторе» для уменьшения ёмкостного сопротивления биполярных транзисторов, специалистам IBM удалось увеличить скорость их переключения. Обычно эта методика применяется к CMOS-транзисторам.
Таким образом, разработчики IBM добились того, что CMOS- и биполярные чипы стало возможным размещать на одной пластине, выполненной по технологии «кремний-на-изоляторе».
В IBM полагают, что чипы, выполненные по новой гибридной технологии получат повсеместное распространение уже через пять лет.